На выставке CES 2019 компания Etron Technology (Тайвань) анонсировала абсолютно новую архитектуру оперативной памяти с названием RPC DRAM, что имеет меньше контактов, но с производительностью не уступающей DDR4.
Использование архитектуры с уменьшенным числом контактов поможет уменьшить общий размер устройств, а так же не плохо сэкономить на расходах. Директор Etron Ники Лу считает, что новый вид памяти отлично подойдет для небольших гаджетов и смартфонов.
Etron RPC DRAM имеет немало сходств с DDR3 или LPDDR3 с организацией x16, х32 и х64, но задействует только 22 переключающих сигнала в пакете с 40-шариковым веерным чип-масштабированием (FI-WLCSP). Пропускная способность при этом составляет 4.8 ГБ/сек, 9.6 ГБ/сек или 19.2 ГБ/сек, соответственно.