Новая технология GDDR6 основана на 10-нм технологии Samsung, имеет плотность 16 Гбит, что вдвое больше, чем у 20-нм 8-гигабитной памяти GDDR5. Память работает со скоростью 18 гигабит в секунду, скорость передачи данных достигает 72 гигабайт в секунду, что представляет собой более чем двукратное увеличение по сравнению 8 Гбит/с у памяти 8 Gb GDDR5.
Для работы памяти GDDR6 требуется 1,35 В, что снижает потребление энергии на 35% по сравнению 1,55 В у GDDR5. 10-нанометровый тип памяти 16Gb GDDR6 также обеспечивает рост производительности на 30% по сравнению с 20-нм 8Gb GDDR5.